Раджабов Тельман Дадаевич

Тельман Дадаевич Раджабов родился 15 августа 1935 г. в г. Самарканде в семье преподавателей и ученых. Отец – Д.А.Раджабов, типичный представитель интеллигенции 20-30 годов, окончил рабфак, был одним из первых проректоров УзГУ (Узбекского государственного университета, г. Самарканд), учился в Институте красной профессуры в г. Москве в 1442-1945 гг. воевал и после окончания войны более 25 лет был проректором по учебной работе Ташкентской высшей партийной школы. Мать - Ф.Х.Якубова, уже в 17 лет была директором техникума, училась в аспирантуре Московского государственного университета, в 1935 г. защитила кандидатскую диссертацию в МГУ и в течение многих лет заведовала кафедрой биологии в Ташкентском педагогическом институте.

Т.Д.Раджабов, в 1953 г. окончив школу с медалью, поступил и Московское высшее техническое училище им. Э.Баумана (ныне Московский государственный технический университет) и в 1959 г. после учебы в институте был направлен на работу на Родину - в г. Ташкент, где под руководством известного ученого-физика У.А.Арифова начал свою научную деятельность.

Поступив на работу в Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, он начал осваивать новую область - физику элементарных частиц, и вплотную нанялся вопросами открытия нового ускорители частиц- циклотрона "У- 150". С этой целью он выезжает на стажировку в Институт атомной энергии им. И. Курчатова, где под руководством академика Г.Флерова осваивает новую технику. В этот же период он начинает интересоваться вопросами вакуумной техники и физики вакуума и, написав расширенный реферат по получению высокого вакуума в больших электрофизических установках, поступил в очную аспирантуру Института  вакуумной техники, где его научным руководителем был известный электронщик, создатель вакуумной науки и основатель производства вакуумной техники в системе Министерства электронной промышленности, Герой Социалистического Труда, академик С.А.Векшинский. За период обучения в acпиpaтуре был изучен ряд, проблем, связанных с получением высокого и сверхвысокого вакуума. Работая в тесном контакте и под непосредственным руководством С. А.Векшинского и Г.Ф.Ивановского, Т.Д.Раджабов подготовил и в 1966 г. защитил в Московском физико-техническом институте диссертацию на соискание ученой степени кандидата технических наук. Работа была представлена от одной из ведущих кафедр данного института-кафедры электроники, возглавляемой профессором Б.М.Царевым. Тема диссертационной работы – «Исследование процессов сорбции инертных газов титанов», была тесно связана  с вопросами ионной откачки геттерно-ионными насосами. Разработанный в отделе Г.Ф. Ивановского геттерно-ионный насос «ГИН-0,5» наряду с удовлетворительными рабочими характеристиками (предельный вакуум 10 минус 9 тор, скорость откачки 500 л/с, безмасляная  откачка, высокое входное давление, продолжительный срок службы и др.) имел низкую скорость откачки по инертным газам, так как существовавшая система ионизации была неэффективной. В процессе исследований она была усовершенствована, дополнена магнитным полем, в результате чего скорость откачки по инертным газам значительно возросла. На Международной выставке в Лейпциге этот насос получил премию за лучшую разработку. Наряду с этим были впервые получены экспериментальные результаты по процессу одновременного ионного внедрения и осаждения пленок, которые ранее были теоретически обоснованы профессором Дж.Картером (Англия, Сэлфордский  Университет)) и затем получили широкое признание. В ходе экспериментов Т.Д. Раджабов вывел основное уравнение процесса, описанного Дж.Картером, и в 1972 г. получил за это авторское свидетельство.

В 1966 г. Т.Д.Раджабов возвращается в Ташкент, где работает в Институте ядерной физики, а затем переходит в отдел электроники Физико-технического института, возглавляемый академиком У.А. Арифовым. В этот период У.А.Арифов проводит большую работу по реорганизации отдела электроники в Институте электроники, в которой Т.Д.Раджабов принимает самое активное участие, включая проектирование будущего здания.

В 1968 г. отдел электроники был преобразован в Институт электроники Академии наук Узбекистана, где Т.Д. Раджабов, став заведующим лабораторией физических методов анализа, вплотную начинает заниматься проблемами физической электроники, в частности, взаимодействия заряженных частиц с тонкими пленками, изучать процессы проникновения положительных щелочных ионов через тонкие металлические пленки "прострелы", вопросами вторичной ионной эмиссии, взаимодействия ионов инертных газов со стеклянными поверхностями, сорбции и десорбции при ионной бомбардировке твердых тел и др.

Результаты кропотливых исследований легли в основу монографии "Сорбционные процессы при взаимодействии заряженных частиц с поверхностями твердых тел", выпущенной издательством "Фан" в 1974 г. Наряду с этим Т.Д.Раджабов под руководством У.А.Арифова продолжал активно участвовать в становлении кафедры физической электроники при Ташкен­тском политехническом институте, где читал студентам ряд дисциплин : физику газового разряда, вакуумную технику, физические основы микроэлектроники, физику плазмы и т.д., способствовал открытию в Ташкенте Конструкторского бюро общего машиностроения, которое первоначально было основано как филиал организации академика Бармина, занимавшийся проблемами изучения лунной поверхности и космическими исследованиями. В этот период в Ташкенте был проведен ряд крупных международных и всесоюзных конференций по эмиссионной и физической электронике, в ходе которых были установлены тесные связи с ведущими научными центрами Москвы, Ленинграда, Киева, Новосибирска и других городов. Т.Д.Раджабов выезжал для участия с докладами по этой тематике на конферен­ции в Англию, Германию, Болгарию и другие страны.

Сотрудники возглавляемой им лаборатории начали проводить большой комплекс научных изысканий с исследовательскими, производственными и академическими организациями, в част­ности, была заложена основа совместных работ с НПО "Энергия" по созданию систем жизнеобеспечения в замкнутых объемах. В этом направлении совместно с В.И. Серебряковым, А.П.Пшеничковым,     Л.А.Вайманом   и    другими    учеными    были    получены практически важные результаты, в частности, разработана принципиально новая технология увеличения водопроницаемости палладиевых мембран из газовых и жидкостных смесей при низких температурах за счет нанесения каталитических покрытий, создана серия водородных сепарато­ров, прошедших успешные испытания и рекомендованных к использованию в системах жизнеобеспечения. Совместно с Институтом тонкой химической технологии им.Менделеева (Л.Я.Алимова, И.Джамалетдинова) на основе поливинилтриметилсилана были созданы мембраны для селективной очистки газовых смесей от окиси углерода за счет его ионной имплантации. Эта работа позже, уже в 90-е годы, получила продолжение в виде создания технологии и устройств для хранения плодоовощной продукции, которые были рекомендованы ГКНТ Республики Узбекистан для практического использования. Космические исследования проводились также с Институтом медико- биологических проблем, в результате чего был разработан (совместно с Т.Я.Рябовой) метод уменьшения темновых токов и увеличения пробойных напряжений для электростатической активной защиты космических кораблей и спутников.

С проблемой каталитических свойств были связаны научные изыскания по имплантации и ионной  обработке редкоземельных металлов (совместно с Л.Ф.Лифановой), в ходе которых было установлено, что введение ионной бомбардировкой небольших концентраций таких элементов, как самарий, неодим и др., резко повышает каталитическую активность поверхности, особенно на процесс разложения паров воды.

Ряд работ был выполнен по заказам Министерства электронной промышленности (Г.Ф.Ивановский, А.И.Пипко, И.Я.Плисковский и др.), связанными,  в частности, с увеличением срока службы газоразрядных приборов, магнетро­нов и др. за счет более эффективной предварительной обработки материалов и деталей, используемых в электровакуумных приборах. По вопросам обезгаживания циркония и сплавов на его основе велись совместные исследования с заводом "Звезда" (Московская обл.), для успешного проведения которых были разработаны оригинальные установки, приборы и стенды (энергоанализаторы, ионные источники, масс-спектрометриче­ские стенды н др.). Весьма плодотворным было сотрудничество с украинскими специалистами, в частности с Донецким государственным yуниверситетом  (А.И.Бажин, В.Г.Лабзин, В.Буравлев и др.) по разработке способов получении антикоррозийных покрытий и созданию специальных ионных источников.

Наряду с этими работами велись важные для республики исследования, связанные с защитой газо-нефтяного оборудования (совместно СО СредазНИИгазом, У.Д.Мамаджановым, В.С.Яхшиевым и др.). Взамен традиционной технологии азотирования металлов была предложена технология ионного азотирования конструкционных металлов, позволявшая ускорить процесс азотирования в 5-7 раз, увеличить толщину азотированного слоя до 0,5 мм и создать эффективную защиту от процессов наводораживания и водородного охрупчивания. Была создана опытная полупромышленная установка для обработки газо-нефтяного оборудования, которая успешно прошла практические испытания на Мубарекском и Газлийском газовых месторож­дениях. Наряду с экспериментальными исследованиями большое внимание Т.Д.Раджабов уделял теоретическим изысканиям процессов взаимодействия заряженных частиц с твердыми телами. К тому времени в лаборатории образовалась сильная группа теоретиков во главе с З.А.Искандеровой, которая в одной из своих первых разработок детально исследовала процесс одновременного напыления и ионной бомбардировки. Изучением данного процесса в начале 60-х годов занимался профессор Дж.Картер из Сэлфордского университета, однако отсутствие в то время достаточных экспериментальных и теоретических результатов не позволило ему описать полный механизм его прохождения. В результате дальнейших исследований теорети­чески в полной мере был описан процесс одновременного ионного внедрения и вакуумного осаждения. В настоящее время этот процесс используется во многих технологиях. Широко исследовались процессы стимулированной ионной бомбардиров­кой диффузии инертных газов в металлах и обратной десорбции. Обобщение полученных результатов и их конкретное приме­нение легли в основу докторской диссертации Т.Д. Раджабова, которую он успешно защитил в Институте атомной энергии им.И.В. Курчатова в 1979 г.. Специализированный Совет по защитам, возглавляемый в то время академиком Е.П.Велихо­вым, который дал высокую оценку полученным результатам.

После защиты докторской диссертации Т.Д.Раджабов уделял большое внимание вопросам практического использования результатов научных исследований и улучшению производст­венной базы лаборатории. В 1986 г. по решению Президиума Академии наук Республики Узбекистан Т.Д.Раджабов был назначен директором Центрального проектно-конструкторского технологического бюро научного приборостроения Академии Узбекистана (затем НПО "Академприбор"). С этого периода он возглавил большую работу по развитию научного приборостроения в системе Академии наук и в республике в целом. Был образован научный Совет по приборостроению при Президиуме Академии наук Узбекистана, под эгидой которого в республике проводились ежегодные научные конференции по научному приборостроению, стали устанавливаться тесные связи с Советом по научному приборостроению при Академии наук СССР и головным объединением по аналитическому приборостроению в Ленинграде. В тот же период Т.Д.Раджабов становится членом научных советов по метрологии, стандар­тизации и научному приборостроению при Академии наук СССР. Организовав в стенах ЦПКТБ отдел электронноионной технологии, Т.Д.Раджабов (совместно с А.Шарудо) вплотную начинает заниматься практическим воплощением процессов имплантации - вопросами модификации физико-химических свойств поверхности различных материалов и покрытий, обращая при этом особое внимание на изменение таких их свойств, как микротвердость, износостойкость, кавитационная, коррозийная, антифрикционная стойкость и др. Было установлено, что ионная имплантация как химически активными, так и инертными газами может существенно изменять не только указанные выше свойства, но и электрические, оптические, сорбционные и другие характеристики твердых тел и пленок. В ЦПКТБ начали создаваться специальные установки по модификации свойств твердых тел и тонких покрытий ионной бомбардировкой (совместно с А.И.Камардиным), при этом наряду с защитными покрытиями была разработана оригинальная технология  получения декоративных покрытий практически на любом материале (металл, пластмасса, стекло, керамика и др.).

После посещения Ташкента космонавтом В.А.Джанибековым по предложению академика П.К.Xaбибуллаева в ЦПКТБ были начаты работы по вакуумной сублимационной сушке овощей и фруктов (совместно с А.К.Кобиловым), лиофильной сушке биологических препаратов, разработана и создана полупромыш­ленная установка по сублимационной сушке, которая впослед­ствии была передана в СоюзНИХИ.

Результаты комплексных исследований модификации свойств различных материалов за счет ионной имплантации были обобщены в двух монографиях, вышедших в 1991 и 1993 гг. Первая из них - "Модификация свойств тонких металлических пленок и покрытий под воздействием ионного облучения", посвященная вопросам модификации покрытий, была написана в соавторстве с учеными Благовещенска и опубликована Дальневосточным отделением Академии паук СССР в г. Владивостоке. В ней были изложены результаты экспериментальных и теоретических исследований тонких пленок и покрытий, полученных методом конденсации с одновременным облучением ионами инертных газов, структурных и фазовых превращений, освещены отдельные аспекты теории термовыделения и проникновения имплантированных инертных газов, рассмотрены модели, описывающие влияние инертного газа на диффузионные свойства материалов. Вторая монография - "Модификация свойств поверхности материалов и покрытий ионным облуче­нием" вышла в издательстве "Фан", в ней получили освещение вопросы модификации физико-химических свойств поверхности материалов и покрытий с помощью методов ионной имплан­тации, ионного перемешивания и комбинированного осаждения с ионной бомбардировкой, а также рассмотрены возможности увеличения твердости, прочности, износо- и коррозийной, а также других характеристик материалов и покрытий.

Большая организационная и производственная деятельность позволила в тот период разработать и изготовить н ЦПКТБ серию необходимых научных приборов, начиная г графопост­роителя Н-716 и кончая комплексом солнечной установки, комбинированной с двигателем Cтирлинга, доставленной затем в Институт морских исследований в г. Бхавнагар (Индия). Успехи в приборостроении позволили наметить планы даль­нейшего расширения работ, и, по решению Академии наук СССР, в 1989 г. было запланировано строительство специального завода по научному приборостроению при ЦПКТБ в районе Янгибазара, однако в связи с распадом Союза данный проект не был осуществлен.   

Работая в системе Академии наук Узбекистана, Т.Д.Раджабов не прерывает связи с кафедрой физической электроники Ташкентского политехнического института. Он был руководи­телем дипломных работ студентов, научных тем аспирантов, читал курсы лекций "Основы физического материаловедения", "Обработка результатов измерений", "Физические основы микроэлектроники" и др. На протяжении многих лет Т.Д.Раджабов являлся председателем ГЭК и членом специа­лизированного Совета при факультете "Радиоэлектроника и автоматика". Все это помогло ему, когда в 1992 г. он был назначен ректором Ташкентского электротехнического института связи. На этом посту Т.Д.Раджабов активно начал вести работу по дальнейшему совершенствованию системы подготовки кадров, а с обретением республикой независимости занялся реоргани­зацией программ и учебных планов в свете новых задач, вставших перед отраслью. Под его руководством была проведена большая подготовительная работа по реорганизации обучения на основе многоуровневой непрерывной системы подготовки специалистов информатики и связи, переводу сотрудников института на контрактную систему работы, открытию новых специальностей, переименованию отдельных кафедр и факуль­тетов в свете современных требований и присвоению институту статуса университета информатики и связи. ТЭИС одним из первых в республике начал проводить приемные экзамены по тестовой методике, ввел рейтинговую систему оценок успева­емости студентов и текущего тестирования. Впервые в республике при ТЭИС был открыт специальный факультет по подготовке офицеров-связистов для национальной армии. Благодаря большой организационной работе проведенной Т.Д.Раджабовым, в 1994 г. в институте при финансовой поддержке Комиссии Европейского союза был открыт между­народный Центральноазиатский учебный центр. С 1993 г. в ТЭИС вновь стала функционировать очная и заочная аспирантура, сформировался и начал работать Специализиро­ванный Совет по защите кандидатских диссертаций, усилил свою работу научно-исследовательский сектор. Возглавив кафедру радиоприёмных устройств в ТЭИС, Т.Д.Раджабов начал читать лекции по перспективным радиокомпонентам и проводить научно-исследовательские работы, связанные с разработкой оптоволоконных усилителей, оптического тестера и ряда договоров по созданию новых учебных программ и планов по маркетингу и менеджменту. В 1994 г в издательство "Узбекистан" сдан в набор учебник "Катлам микроэлектроникасининг физик асослари", в котором были изложены лекции по физическим основам микроэлектроники.

Т.Д.Раджабов имеет обширные международные связи, он неоднократно выезжал для чтения лекций в Англию, Австрию, Болгарию, Индию, Италию, Китай и другие страны, а также был участником многих международных конференций в Германии, Голландии, Японии и других государствах, имеет тесные научные контакты с учеными Канады, США, Бельгии и т.д. Наряду с дальним зарубежьем тесные связи поддерживает с учеными стран СНГ (России, Украины, Беларуси и др.), является членом метрологического Совета РФ (Санкт-Петер­бург) и программных комитетов международных конференций и симпозиумов.

Т.Д.Раджабов проводил большую научно-организационную работу, являясь членом коллегии Министерства связи РУз, членом экспертного Совета ВАКа РУз, председателем экспер­том Совета ГКПТ РУз, председателем специализированного Сонета ТО И С и членом специализированного Совета при Таш ГТУ, проводил большую редакторскую работу как член редколлегий международных журналов "Вакуум" (Англия) и "Вакуумная наука и технология" (США, Россия), а также как член редколлегий "Узбекского физического журнала" и узбекистанского журнала "Проблемы информатики и энергети­ки". Кроме того, он являлся научным руководителем отдела физики ионного воздействия и ионно-электронной технологии в НПО "Академприбор".

Т.Д. Раджабовым опубликовано свыше 550 научных трудов, в том числе более 50 авторских свидетельств и патентов.

В настоящее время Раджабов Т.Д. работает в качестве профессора кафедры МАТ и проводит  научно-исследовательскую работу по заказам предприятий и Министерств, ежегодно подготавливает 3-5 магистров и бакалавров и руководит диссертационными работами соискателей и стажеров – исследователей. Проводит ряд работ научно-исследовательского направления в СКБ научного приборостроения при Институте ионно-плазменных и лазерных технологий Ан Уз.

Награды

Награжден орденом Дружбы народов,

орденом «Шухрат мехнати»,

медалью «Ветеран труда»,

юбилейной медалью,

значком «Изобретатель СССР»,

почетными грамотами Министерства Высшего и среднего специального труда, Министерства развития информационных технологий и коммуникаций, Университета Информационных технологий  и др.

Т.Д.Раджабов является доктором физико-математических наук, профессором, академиком Академии наук Республики Узбекистан, академиком Международной Академии связи, членом института инженеров по электронике и электротехнике (Institute of Electrical and Electronics Engineers).

Т.Д. Раджабовым опубликовано свыше 550 научных и научно-методических трудов, 5 монографий и получено более 55 авторских свидетельств и патентов.

Т.Д. Раджабов подготовил 39 кандидатов и 5 докторов наук.

Т.Д. Раджабов имеет обширные международные связи, он неоднократно выезжал для чтения лекций в Великобританию, Австрию, Болгарию, Индию, Италию, Россию, Китай и другие страны. Он был участником многих международных конференций в Германии, Голландии, Японии и других государствах, и имеет тесные научные контакты с учеными Канады, США, Бельгии и т.д. Наряду с дальним зарубежьем тесные связи поддерживает с учеными стран СНГ (России, Украины, Беларуси, Казахстана и др.), является членом метрологического Совета РФ (Санкт-Петербург) и программных комитетов международных конференций и симпозиумов.

Т.Д. Раджабов проводил большую научно-организационную работу, являясь членом коллегии Министерства связи РУз, членом экспертного Совета ВАК РУз, председателем-экспертом Совета ГКНТ РУз, председателем специализированного Совета ТЭИС и членом специализированного Совета при ТГТУ, проводил большую редакторскую работу как член редколлегий международных журналов «Вакуум» (Англия) и «Вакуумная наука и технология» (США, Россия), а также «Узбекского физического журнала» и журнала «Проблемы информатики и энергетики». Кроме того, он являлся научным руководителем отдела физики ионного воздействия и ионно-электронной технологии в СКБ при институте ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз.

В 1989 г. Т.Д. Раджабов был избран членом-корреспондентом Академии наук Узбекистана по специальности «Общая физика», в 1995 г. — действительным членом Академии наук РУз по специальности «Приборы и технология материалов приборостроения», в том же году он был избран членом Нью-Йоркской Академии наук (США).

Т.Д. Раджабов награжден орденами «Дружба народов» (1966г.) и «Шухрат мехнати» (2003г.), медалью «Ветеран труда» (1986г.), юбилейной медалью, значком «Изобретатель СССР», почетными грамотами.
В настоящее время Т.Д. Раджабов работает в качестве профессора кафедры «Технологии мобильной связи» ТУИТ и проводит научно-исследовательскую работу по заказам предприятий и Министерств, регулярно руководит работами магистров и бакалавров, а также является научным консультантом 3 диссертационных работ соискателей и стажеров – исследователей на степень докторов наук.

Также Тельман Дадаевич продолжает вести ряд научно-исследовательских работ в СКБ научного приборостроения при Институте ионно-плазменных и лазерных технологий АН РУз.

Патенты Раджабова Тельмана Дадаевича

Способ предпосевной обработки семян хлопчатника // 1836890

Изобретение относится к области сельского хозяйства и может быть использовано для обработки семян перед посевом для увеличения энергии прорастания семян хлопчатника и уменьшения сроков созревания .

Способ подготовки металлических поверхностей // 1818357

Способ получения корма для тутового шелкопряда // 1713530

Изобретение относится к сельскому хозяйству, в частности к шелководству, и может быть использовано для получения корма д/^я тутового шелкопряда.

Способ очистки ртутьсодержащих газов от паров ртути // 1698306

Изобретение относится к цветной металлургии и может быть использовано при производстве ртути из руд и концентратов.

Способ поверхностной обработки изделий из медных сплавов // 1638205

Изобретение относится к металлургии , в частности к химико-термической обработке с использованием источников высококонцентрированной энергии, а именно ионной имплантации, и может быть использовано в машиностроение для поверхностного упрочнения деталей машин, изготовленных из медных сплавов.

Способ модификации полимерной мембраны из поливинилтриметилсилана // 1597207

Изобретение относится к мембранной технологии и может быть использовано в химической промышленности. .

Способ модификации асимметричной газоразделительной мембраны // 1457950

Изобретение относится к технологии получения газоразделительных мембран, а именно к способам модификации асимметричных мембран на основе кремнийорганических полимеров, и может быть использовано для разделения водородно-кислородной смеси при радиолизе воды в медицине.

Способ диагностики нарушения целостности тонкой кишки при закрытой травме живота // 1161086

Способ обработки электродов высоковольтных вакуумных промежутков // 721864

Газообразная среда для ионного азотирования стальных деталей // 720049

Способ пассивации поверхности нержавеющей стали // 638636

Способ получения многослойных структур // 471631

Источник